據(jù)悉，國成功研光刻中國科學院成功研發(fā)除了突破性的發(fā)全固態(tài)DUV(深紫外)激光，可發(fā)射193nm的完全相干光，與目前主流的不同DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。國成功研光刻
據(jù)悉，發(fā)全ASML、完全佳能、不同尼康的國成功研光刻DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術(shù)，通過氬、發(fā)全氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩(wěn)定分子，完全釋放出193nm波長的不同光子，然后以高能量的國成功研光刻短脈沖形式發(fā)射，輸出功率100-120W，發(fā)全頻率8k-9kHz，完全再通過光學系統(tǒng)調(diào)整，用于光刻設備。
中科院的固態(tài)DUV激光技術(shù)完全基于固態(tài)設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器生成1030nm的激光，在通過兩條不同的光學路徑進行波長轉(zhuǎn)換。
一路采用四次諧波轉(zhuǎn)換(FHG)，將1030nm激光轉(zhuǎn)換為258nm，輸出功率1.2W。
另路徑采用光學參數(shù)放大(OPA)，將1030nm激光轉(zhuǎn)換為1553nm，輸出功率700mW。
之后，轉(zhuǎn)換后的兩路激光通過串級硼酸鋰(LBO)晶體混合，生成193nm波長的激光光束。
最終獲得的激光平均功率為70mW，頻率為6kHz，線寬低于880MHz，半峰全寬(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一納米)，光譜純度與現(xiàn)有商用準分子激光系統(tǒng)相當。
基于此，甚至可用于3nm的工藝節(jié)點。
這種設計可以大幅降低光刻系統(tǒng)的復雜度、體積，減少對于稀有氣體的依賴，并大大降低能耗。
相關(guān)技術(shù)已經(jīng)在國際光電工程學會(SPIE)的官網(wǎng)上公布。
不過相信大家也看出來了，這種全固態(tài)DUV光源技術(shù)雖然在光譜純度上已經(jīng)和商用標準相差無幾，但是輸出功率、頻率都還低得多。
對比ASML的技術(shù)，頻率贏達到了約2/3，但輸出功率只有0.7%的水平，因此仍然需要繼續(xù)迭代、提升才能落地。
