本月15日，資料最早美國商務(wù)部最終敲定了臺積電（TSMC）在亞利桑那州新建Fab 21項目的顯示款項，授予高達(dá)66億美元的臺積投產(chǎn)直接撥款，以支持整個園區(qū)大概650億美元的電美建設(shè)支出，其中將興建三間晶圓廠。國工工藝整個項目將創(chuàng)造6000多個直接制造工作崗位，引入于年以及超過20000個累計的資料最早建筑工作崗位。
據(jù)報道，顯示臺積電向美國商務(wù)部提交的臺積投產(chǎn)信息顯示，最早于2028年在美國開始生產(chǎn)2nm芯片。電美根據(jù)Fab 21項目制程工藝路線安排，國工工藝將引入A16和N2系列（N2、引入于年N2P和N2X）工藝，資料最早均屬于2nm制程節(jié)點，顯示量產(chǎn)啟動時間比起中國臺灣的臺積投產(chǎn)晶圓廠要晚大概三年。
Fab 21一期工程初期投入120億美元，選擇了4/5nm工藝的生產(chǎn)線，已進行了試產(chǎn)，計劃在2025年上半年投產(chǎn);二期工程原計劃選擇3nm工藝的生產(chǎn)線，現(xiàn)在將推進至2nm工藝，預(yù)計在2028年投產(chǎn)，前兩期工程加起來的總產(chǎn)能為每月5萬片晶圓;新增三期工程將采用2nm或更先進的制程技術(shù)，預(yù)計2030年之前投產(chǎn)。
臺積電在2nm制程節(jié)點將引入GAA晶體管架構(gòu)，有望顯著降低功耗，提高性能和晶體管密度，帶來質(zhì)的改變。按照臺積電之前的說法，臺積電只有在大規(guī)模量產(chǎn)后，才會考慮遷移到下一個制程節(jié)點，而且新一代半導(dǎo)體工藝的研究會在中國臺灣展開，以保持半導(dǎo)體技術(shù)上的領(lǐng)先地位。